基于Ga As衬底采用全息光刻和湿法刻蚀技术制备周期孔阵图形。得出全息光刻双曝光最优曝光时间为60 s。采用H3PO4∶H202∶H2O=1∶1∶10配比的刻蚀液,得出最佳刻蚀时间为30 s。扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）测试图片显示,孔阵周期为528 nm,刻蚀深度为124 nm,具有完美的表面形貌及良好均匀性和周期性。