利用原子力显微镜和椭圆偏振光谱仪，研究了不同退火温度下深紫外（ＤＵＶ）辅助高压处理对溶液旋涂法制备的非晶ＩＧＺＯ薄膜微观结构与光学特性的影响。实验结果表明，通过ＤＵＶ辅助高压退火处理，当退火温度从２１０℃升高至３００℃，薄膜的光学带隙由２．９７ｅＶ 升至３．３２ｅＶ，而膜表面粗糙层从２２．８１ｎｍ 降至５．０２ｎｍ。３００℃－ＤＵＶ处理的样品与同等压强下３００℃无ＵＶ处理和３５０℃退火处理的相比，薄膜的折射率增加并明显地降低了其表面粗糙度，因此，ＤＵＶ辅助高压退火处理能够有效减少有机化合物的残留，促进了成膜前驱基团的迁移，并形成更加致密的非晶ＩＧＺＯ薄膜。