利用射频磁控溅射法在玻璃衬底上沉积SnS 薄膜并对其进行快速退火处理，利用X 射线衍射( XＲD) 、拉曼光谱( Ｒaman) 、X 射线能量色散谱( EDS) 、原子力显微镜( AFM) 和紫外-可见-近红外( UV-Vis-NIＲ) 分光光度计研究了不同溅射功率( 60 ～ 120 W) 条件下制备的SnS 薄膜的晶体结构、物相组成、化学组分、表面形貌以及有关光学特性。结果表明: 经快速退火的薄膜均已结晶，提高溅射功率有利于改善薄膜的结晶质量、生长择优取向程度和化学配比，薄膜的平均颗粒尺寸呈增大趋势; 溅射功率为100 W 的薄膜样品的结晶质量和择优取向度高，薄膜应变最小，且为纯相SnS 薄膜，Sn /S 组分的量比为1∶ 1． 09，吸收系数达105 cm－ 1 量级，直接禁带宽度为1． 54 eV。