采用溶胶-凝胶（Sol-Gel）法在Pt/Ti/SiO₂/Si衬底上制备不同Pb过量（未过量、10%、15%）和引入不同厚度（0、100nm、500nm）锆钛酸铅（PZT）缓冲层的锆钛酸铅镧（PLZT）反铁电薄膜,通过原子力显微镜、X线衍射表征分析薄膜的微观结构。结果表明,过量10%的Pb组分有助于形成钙钛矿结构,获得较大的晶粒尺寸和理想的粗糙度;100nm的PZT缓冲层的引入有利于PLZT薄膜晶化,形成较致密、结晶状况良好的薄膜。