采用微波等离子体化学气相沉积法(M PCVD) , 以N 2、CH4 作为反应气体合成碳氮
膜。通过控制反应温度、气体流量、微波功率、反应气压等工艺条件, 在Si 和P t 基片上, 进行
B2C3N 4 晶态薄膜的合成研究。扫描电镜(SEM ) 下观察到生长在Si 基底上的薄膜具有六角晶
棒的密排结构。扫描隧道显微镜(STM ) 下观察到在P t 基底上生长的碳氮薄膜由针状晶粒组
成。EDX 分析表明, 随沉积条件的不同, Si 基底上的氮碳薄膜中N öC 在1. 0 到2. 0 之间; P t
基底上生长的碳氮薄膜N öC 在0. 8～ 1. 3 之间。X 射线衍射分析(XRD) 发现薄膜中含有B2
C3N 4 和A2C3N 4。