本论文利用真空镀膜方法在云母片上生长半金属Bi 薄膜,测量了薄膜生长厚度与电阻之间的关系,并用原子力显微镜(AFM) 研究了云母表面半金属薄膜电阻变化与薄膜粗糙度间的关系。生长初始阶段,薄膜先形成孤立的三维小岛(典型高度1 nm ,直径10 nm ,间距10 nm) ,随后互相聚结形成网状结构,薄膜不导通( R ≥20 MΩ) ,粗糙度随膜厚增加而减小。当等效厚度d = 1. 74 nm时,薄膜导通( R ≤13 MΩ) ,薄膜的形貌变为有小孔洞的连续状结构,粗糙度在此厚度附近达到最小值然后又增大。随着薄膜继续生长,连续状结构的厚度增加,薄膜电阻随之迅速减小,当d ≥2. 4 nm时薄膜电阻趋近于稳定值2kΩ。