采用反应磁控溅射法在Si（111）衬底上沉积了AlN 薄膜。XRD 分析表明，在5 种温度下，AlN 均以（100）
面取向，衬底温度的提高有利于薄膜结晶性的改善，在600℃以上时AlN 中Al—N0 键断裂，仅出现（100）衍射峰。
AFM 分析显示，在600℃时平均晶粒尺寸90 nm，Z 轴最高突起仅为23 nm。