利用电子束真空蒸发方法制备了厚度１００ｎｍ的Ｎｉ８０Ｆｅ２０薄膜，研究了磁场退火温度对薄膜磁畴结构
的影响。利用振动样品磁强计测量了磁滞回线，利用磁力显微镜观察了薄膜的表面形貌和磁畴结构。结果表明：磁畴结构为明显的条状畴，磁畴宽度最大值约为８６０ｎｍ；随着磁场退火温度的升高，磁畴取向趋于沿垂直膜面方向，退火温度为６００℃时，沿着主畴的畴壁形成了细小的横向细畴结构。