采用中频磁控反应溅射工艺进行了氮化铝薄膜的制备，对沉积速率、晶体结构和表面形貌与氮气流量和溅射功率之间的变化关系进行了研究。结果表明，通过调节N₂流量和溅射功率选择性地获得非晶态和沿着c 轴方向择优生长的晶态AlN 薄膜。在化合物沉积模式下，增加溅射功率和增加反应气体流量均有利于获得非晶态AlN 薄膜，并且减小薄膜表面粗糙度，获得光滑的AlN 薄膜，并采用薄膜生长原理对这种现象进行了解释。