采用直流反应磁控溅射法 ， 在不同 Ｏ 不同溅射功率密度 （ 及不同 Ａ ｒ分压比 （ １∶３、 １∶４ ２ ４、 ４ ０、 ４ ８Ｗ ｃ ｍ ２ ／ 热处理温度 （ 条件下制备出 Ｚ 研究 Ｏ 溅射功率及热处理的最佳工艺 ， 对制备的 ４ ０ ０、 ８ ０ ０ ℃） ｎ Ｏ 晶种层 ， Ａ ｒ分压比 、分析磁控 溅 射 相 关 工 艺 参 数 对 预 制 Ｚ 晶种层微观形貌和结构进行 Ｓ ＥＭ、 Ａ ＦＭ、 Ｘ Ｒ Ｄ 表征 ， ｎ Ｏ 晶 种 层 的 影 响 机 理， 发现在 Ｏ 溅射功率密度为 ４ 及８ Ａ ｒ分压比为 １∶４， ０Ｗ ｃ ｍ ０ ０ ℃ 热处理条件下制备的 Ｚ ｎ Ｏ 晶种层质量最优