摘要: 采用射频磁控溅射法制备了氧化锌基薄膜晶体管（ZnO-TFTS），研究了氩氧分压比对 ZnO 薄膜生长以及 ZnO-TFT 电学特性的影响。结果表明：氩氧分压比为 40/16 和 40/8 时制得的 ZnO-TFT 样品，都存在氧过量现象， 生长晶向都存在一定左偏移，有源层沟道都为 n 型，均工作在增强型模式下，饱和特性都较好，且都呈现出一个较大的负方向漏电流，但氩氧分压比为 40/16 时制备的 ZnO 薄膜结晶性更好，其所对应的 ZnO-TFT 具有更高的场效应迁移率和开关电流比，以及更低的亚阈值摆幅。