利用脉冲激光沉积法在玻璃衬底上生长、并经Ar保护下快速退火制备SnS薄膜。利用X射线衍射、拉曼光谱、X射线能量色散谱、原子力显微镜、紫外-可见-近红外分光光度计等表征手段,对不同条件（脉冲激光能量：90和140 rnJ;退火温度：100~400℃）下制备SnS薄膜的晶体结构、化学组分、表面形貌、光学特性等进行表征分析。结果表明：脉冲激光能量为140mJ、退火温度为300℃时所制备的SnS薄膜结晶质量良好、择优取向生长良好、成分接近理想配比（Sn：S=1：1.03）、光吸收系数为10~5 cm~（-1）量级。