利用溶胶-凝胶法在氧化铟锡(ITO)衬底上制备了多铁性铁酸铋薄膜,发现这种方法制备的薄膜具有典型的钙钛矿晶体结构,并表现出较好的介电性能。薄膜的漏电和铁电性能测试表明由于漏电流比较大,薄膜在室温下表现出不饱和的电滞回线,难以精确获得剩余极化强度值。而在外加扫描电压或电流时,薄膜均呈现出明显的阻变效应,可应用于阻变信息存储。最后,分析讨论了元素掺杂对薄膜铁电性能和阻变效应的影响。