采用反应射频磁控溅射技术制备ＨｆＴａＯ薄膜，利用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）分析了薄膜的微结构，通过紫外－可见光分光光度计测量了薄膜的透过谱，计算了薄膜的折射率和禁带宽度，利用原子力显微镜观察了薄膜的表面形貌。结果表明，随着Ｔａ 掺入量（１０％，２６％，５０％）的增加，ＨｆＴａＯ薄膜的结晶化温度分别为８００、９００、９５０℃，Ｔａ掺入量继续增加到７２％，经过９５０℃退火处理的ＨｆＴａＯ薄膜仍然保持非晶态，具有优良的热稳定性。ＡＦＭ 形貌分析显示非晶ＨｆＴａＯ薄膜表面非常平整。在５５０ｎｍ 处薄膜折射率ｎ随着Ｔａ掺入量的增大而增大，ｎ的变化区间为１．９０～２．１５。同时ＨｆＴａＯ薄膜的光学带隙Ｅｇ随着Ｔａ掺入量的增大而逐渐减小，Ｅｇ的变化区间为４．１５～５．２９ｅＶ