利用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了Cu2ZnSnS4（CZTS）薄膜，薄膜在室温下生长，再在Ar 气氛中快速退火。通过X 射线衍射、X 射线电子能谱、原子力显微镜和吸收谱研究了退火温度对薄膜结构、组分、形貌和禁带宽度的影响。结果表明，所制备样品为Cu2ZnSnS4 多晶薄膜，具有较强的沿(112)晶面择优取向生长的特点，薄膜组分均为富S 贫Cu，样品表面形貌比较均匀。退火温度为350，400，450 和500 ℃的薄膜样品的禁带宽度分别是1.49，1.53，1.51 和1.46 eV。