研究了氧化剂碘酸钾及抛光粒子CeO2的浓度、抛光转速和抛光压 力对铜的化学机械抛光速率的影响,并初步解释了影响因素的机理.实验表明在一定范围内材料的去除速率与抛光压力、抛光转速的关系可以用Preston方程 的一般式R=KPαVβ来表示,并据此可得到α,β和K的值;而氧化剂和抛光粉浓度对抛光速率的影响无明确的规律.在0.2 mol/L KIO3+5%CeO2、压力11.703 kPa、转速25 r/min的条件下,铜去除速率为43.9 nm/min,抛光效果Ra=10.9 nm,Rmax=112 nm.