用二次阳极氧化法制备了高质量的氧化铝模板，用磁控溅射法在氧化铝模板上溅射生长了非晶SiC 材料． 原子力显微镜结果显示，在不同的溅射气压下( 0. 5 ～ 1. 5 Pa) ，能够形成层状、点状和棒状的SiC 纳米结构． 光致发光谱显示，在550 ～ 700 nm 之间有一个很强的发光峰，随着生长条件的改变，这个发光峰的强度有显著的变化． 分析了纳米结构
的形成、发光峰的变化与制备条件的关系．