利用脉冲激光沉积（PLD）法在氧压为16Pa、衬底温度为400～700℃时，在单晶Si（100）衬底上制备ZnO薄膜，并通过原子力显微镜（AFM）、X射线衍射（XRD）谱和光致发光谱对制得的薄膜样品进行表面形貌、结构特性和发光性质研究。其中通过原子力显微镜对样品的二维、三维以及剖面线图进行了分析。结果表明衬底温度700℃时得到的薄膜样品表面较均匀致密，晶粒生长较充分，结晶质量较高，相对发光强度高。控制氧压为5．7Pa，在衬底温度为600℃，沉积时间分别为10，20，45min制备ZnO薄膜样品；利用原子力显微镜对样品进行表面形貌观察，得知只有沉积时间足够长才能使薄膜表面晶粒充分生长