采用反应磁控溅射法在ITO玻璃上制备氮掺杂氧化钨(WO3:N)薄膜。采用XRD、XPS、AFM对薄膜的结构、成分、结合键和表面形貌进行表征。将WO3:N薄膜封装制成电致变色器件,并采用直流稳压电源和分光光度计对其进行变色调制性能测试。结果表明:制备的WO3:N薄膜为纳米晶结构,其衍射峰位随着含N量的增加而右移;WO3:N薄膜中W、O分别以W6+和O2-存在,而N以中性价态、WO3中的O位替换以及表面吸附3种状态存在;随着WO3:N薄膜中含N量的升高,表面粗糙度逐渐增大,且有利于器件着色;当掺氮2.80%(摩尔分数)时,电致变色器件调制幅度最大为68.8%,比未掺氮器件的高出7.7%,适用于节能玻璃。
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作者
王伟;李合琴;陶磊;乔恺;周矗;张静;唐琼;黄依琴;左敏;李世伟.
期刊
中国有色金属学报,25:9,2471-2477(2015)
年份