采用直流反应磁控溅射法低温沉积ITO薄膜，用XRD、SEM和UV-Vis分别表征ITO薄膜的晶体结构、表面形貌及其紫外-可见光吸收谱，研究了氧分压、溅射功率及薄膜厚度等工艺参数对薄膜光电性能的影响，结果表明，氧分压过大时，ITO薄膜中有大量的位错和缺陷，使薄膜的电阻率变大，导电性变差；氧分压过小时，薄膜中将有大量氧空位产生，导致晶格变形，使电阻率增加。随着溅射功率增大，在相同时间内薄膜厚度增加，方块电阻减小，薄膜电阻率降低。随着薄膜厚度增加，制备的薄膜晶体结构相对完整，载流子浓度和迁移率逐渐增大，薄膜电阻率变小，进而对样品的光电性能产生明显影响