摘要: 采用射频共溅射方法制备了NixZn1 － xO( x = 0． 78、0． 72、0． 68) 薄膜。薄膜有非晶相和少量的NiO 结晶相的存在。样品都具有明显的室温铁磁性，退火后( TA = 803 K) Ni0． 78Zn0． 22O 薄膜的饱和磁化强度Ms可达65 emu/cm3 ，对应单个Ni 离子磁矩大于0． 13 μB。低温下制备态薄膜都出现了电阻率极小值的现象，这是由于样品发生了金属-绝缘体转变。