文章利用化学气相沉积(CVD)扩磷的方法,在单晶硅基底上进行扩磷工艺研究。采用X射线光电子能谱分析扩磷硅基底,通过原子力显微镜观察扩磷时间和温度对硅基底表面形貌的影响,并利用半导体特性测试仪研究扩磷时间和温度对硅基底I-V特性的影响。结果表明,扩磷温度和时间对硅基底的表面粗糙度和晶粒的平均尺寸影响较大,扩磷时间越长、温度越高,硅基底的电学特性越明显。