采用热蒸发镀膜方法制备Mg2-xMnxSi（原子比x=0.00,0.02,0.04,0.06,0.08）半导体薄膜.用X射线衍射仪（XRD）、原子力显微（AFM）对Mg(2-xMnxSi薄膜样品的晶体结构和表面形貌进行表征,用四探针仪测试样品的电阻率,研究Mn掺杂量对Mg2Si薄膜结构和电阻率的影响.结果表明,在Si（111）衬底上制备Mg(2-xMnxSi多晶薄膜,其衍射峰（220）、（200）和（111）随Mn含量的增加逐渐增强.当x=0.02-0.06时,制备的Mg(2-xMnxSi薄膜具有较低的平均粗糙度和RMS（Root Mean Square）粗糙度.Mn掺杂降低了Mg2Si薄膜的电阻率,且电阻率随着掺杂量的增加呈现下降趋势.