采用射频磁控溅射法分别在不同溅射功率下制备了HfO2薄膜，基于该组薄膜实现了金属－ 绝缘体－ 金属( MIM) 电容器原型器件。采用Ｒaman、原子力显微镜( AFM) 、扫描电子显微镜( SEM) 、X 射线光电子能谱学( XPS) 和电学测试仪等分析手段，研究了溅射功率对薄
膜微结构和电学特性的影响。测试结果表明，随着溅射功率的增加，HfO2薄膜由无定形态向单斜晶相转化、颗粒尺寸逐渐增大、Hf—O 键结合度增强，由于提高溅射功率导致了薄膜晶化、团簇和Hf—O 结合能减小，使MIM 电容器击穿电压降低，漏电流呈现先降后增。结果表明溅射功率为150 W 时，HfO2薄膜获得较好的电学性能。