利用扫描电子显微镜(SEM) 、原子力显微镜(AFM) 、透射电子显微镜(TEM)
和X射线衍射(XRD) 技术研究了低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD) 的立方相
GaN/ GaAs (001) 外延层的表面起伏特征,及其与外延层极性和内部六角相、立方相微
孪晶之间的联系. 结果表明外延表面存在有大量沿[110 ]方向延伸的条带状台阶,而
表面起伏处对应着高密度的六角相或立方相微孪晶,在表面平整的区域内其密度则
较低. {111}Ga和{111}N 面上形成六角相和微孪晶概率的明显差异是导致外延层表
面台阶状起伏特征的根本原因.