采用扫描隧道显微镜(STM) 在p2nitrobenzonitrile(PNBN) 单体有机薄膜上进行信息记录点的写
入研究。通过在STM针尖和高定向裂解石墨(HOPG) 衬底之间施加一系列的电压脉冲进行信息记录
点的写入,得到了一个信息点点径小于1nm, 对应存储密度高达1013 bitPcm2 的信息存储点阵。电流
- 电压( I - V) 曲线表明,薄膜上非信息点存储区域是高电阻区,而信息点存储区域是导电区,具有0
-1 信息存储特性。PNBN单体有机薄膜的存储机制可能是规则排列的PNBN分子在强电场作用下由
有序向无序的转变,使得薄膜的电阻由高阻态向低阻态转变,从而实现信息点的写入。