采用扫描隧道显微镜(STM) 在32phen yl212ureidonitrile (PUN) 有机单体薄膜上进行了超高密度信息存储的研
究. 通过在STM 针尖和高定向裂解石墨(HOPG) 衬底之间施加一系列的电压脉冲,在薄膜上写入了一个稳定的5
×6 信息点阵,信息点的大小是018nm. 电流2电压( I2V ) 曲线表明,施加电压脉冲前后薄膜的导电性质发生了变
化. 信息点的写入机制可能是强电场作用下引发的PUN 分子的局域聚合,从而导致薄膜由高电阻态向低电阻态转
变.