采用化学原位氧化聚合法制备了导电聚合物3, 4-聚乙烯二氧噻吩(PEDT)薄膜.系统研究了不同工艺条件对聚合物电导率的影响.发现单体与氧化剂体积比为1∶4、溶剂含量90%(体积分数)、加入 聚合改良剂0.5%(体积分数)、反应温度-5℃时可以获得较高电导率(＞20 S/cm)薄膜.首次结合元素分析法,研究了工艺条件对聚合物相对分子质量的影响,结果表明,聚合温度25℃,ψ(单体:氧化剂:聚合改良 剂)=1∶4∶2的条件下,所合成的PEDT可获得最大平均相对分子质量(1 068)和聚合度(7.6),并对相应的机理进行了探讨