利用真空热蒸发法在玻璃基片上制备SnS薄膜,在50℃~200℃之间,研究了基片温度对SnS薄膜的结构、形貌和光电性能的影响。结果表明,随着基片温度的升高,SnS薄膜的结晶度越好,薄膜变得更光滑,薄膜颗粒也增大了;薄膜的平均粗糙度从19.1 nm减小到3.92 nm,薄膜颗粒的平均粒径从108 nm增大到150 nm。而且随着基片温度的升高,SnS薄膜的载流子浓度从7.118×1013cm-3提高到2.169×1015cm-3,而电阻率从641.8Ω.cm降低到206.2Ω.cm。但是基片温度对薄膜的物相结构和导电类型没有影响。在不同基片温度下,所制备的薄膜都是具有正交结构的多晶SnS,在(111)晶面上有很强的择优取向,其导电类型都为p型。