采用微波电子回旋共振等离子体增强磁控溅射(microwave electron cyclotron resonance plasmaenhancedmagnetron sputtering，ECＲ-PEMS) 和电子回旋共振等离子体辅助化学气相沉积(microwave electroncyclotron resonance chemical vapor deposition，ECＲ-CVD) 技术，分别在单晶硅片(100) 基底上低温制备了多晶硅薄膜． 采用拉曼光谱仪、X 射线衍射仪以及原子力显微镜对薄膜微观结构及表面形貌进行表征，研究纯氦等离子体基底前期处理对所沉积薄膜性能的影响． 结果表明，氦等离子体前处理技术能大幅提高多晶硅薄膜结晶度和颗粒尺寸，明显改善ECＲ-CVD 法所得多晶硅薄膜的微观结构特性和表面形貌．