用KrF 准分子脉冲激光沉积(PLD)法,以石英为衬底,在300 益~600 益制备了MgZnO 薄膜。由拉曼光谱仪、AFM、UV/ vis 分光光度计对薄膜进行表征,结果表明,在600 益制备薄膜有最大的禁带宽度3. 78 eV,以及最好的结晶质量。在此薄膜上镀上Al 电极制备紫外传感器,测量了传感器的的I鄄V 曲线、光谱响应特性,以及在365 nm 紫外光辐照下的时间响应特性。
传感器波长响应峰值在约320 nm;上升时间常数为9. 1 ms,下降时间常数为16. 5 ms。