本文研究的Cu_2ZnSnS_4（CZTS）是最有发展前景的新型太阳能电池材料之一，其所含元素无毒且含量丰富，基于CZTS的太阳能电池理论转换效率达32.2%。本文对CZTS薄膜及其异质结器件的制备和性能进行研究和探讨。 利用了脉冲激光沉积（PLD）法及磁控溅射法制备了CZTS薄膜。利用PLD法在玻璃衬底上、在不同脉冲激光能量条件下制备一系列CZTS薄膜；利用磁控溅射法在室温条件下、在玻璃衬底上沉积CZTS薄膜，并经Ar气氛保护、不同温度的快速退火，制备了一系列的CZTS薄膜。利用X射线能量色散谱（EDS）、X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、紫外-可见-近红外分光光度计（UV-VIS-NIR）等表征手段，对不同条件下制备CZTS样品的薄膜化学组分、晶体结构、表面形貌、光学和电学性质进行表征分析，得到制备高质量CZTS薄膜的工艺条件。