高纯Sn和S粉按1∶0.41(质量分数,%)配比,均匀掺入9(质量分数,%)的高纯Zn粉,单源共蒸发沉积薄膜后再进行热处理,得到Sn2S3∶Zn薄膜。XRD分析显示,380℃,55min热处理得到简单正交晶系的纯Sn2S3 薄膜。掺Zn(9(质量分数,%))的薄膜
经370℃热处理15min得到的薄膜仍属简单正交晶系。掺Zn后Sn2S3 薄膜的表面均匀和致密性变好,平均晶粒尺寸从未掺Zn 时的35.69nm 增加到58.80nm。Sn2S3 薄膜的导电类型均为N 型,掺Zn后薄膜的电阻率为6.05×101(Ω·cm),比未掺杂时降低1个数量级。Sn2S3 薄膜的直接光学带隙为1.85eV,本征吸收边为551nm;Sn2S3∶Zn(9%,质量分数)薄膜
的光学带隙1.41eV,本征吸收边873nm 发生红移,Sn2S3 薄膜的光吸收系数均达到105cm-1