以去离子水(H2O)和三甲基 镓(TMGa)为源材料,用常压MOCVD方法在蓝宝石(0001)面上生长出β-Ga2O3薄膜。用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)以及 二次离子质谱(SIMS)实验表征Ga2O3外延膜的质量。在X射线衍射谱中有一个强的Ga2O3(1-02)面衍射峰,其半峰全宽(FWHM)为 0.25°,表明该Ga2O3外延膜是(1-02)择优取向。在二次离子质谱中除了C、H、O和Ga原子外,没有观测到其他原子