采用射频磁控溅射的方法制备Zn掺杂TiO2薄膜，用XRD、SEM和UV—Vis分别表征TiO2薄膜的晶体结构、表面形貌及其紫外一可见光吸收谱。并用此材料制备Au／Ti02／Au结构MSM光电导型薄膜紫外光探测器，研究其光电特性。实验结果表明，Zn掺杂TiO2紫外探测器在250nm、5V偏压紫外光照下光电流约为500μA，其响应度为100A厢，平均暗电流约为0．5μA；由于ZnO／TiO2复合薄膜之间的费米能级不同而形成的内建电场作用，减少了产生的光生电子与空穴的复合，得到较强的光电流。且其光响应的上升迟豫时间约为22s，下降响应时间约为80s；响应时间较长是由于广泛分布于薄膜中的缺陷而造成的。结果表明Zn掺杂TiO2可作为一种良好的紫外探测材