采用射频磁控溅射的方法制备了TiO2/ZnO复合薄膜,用XRD、SEM和UV—Vis分 别表征TiO2/ZnO薄膜的晶体结构、表面形貌及其紫外-可见光吸收谱。并用此材料制备了Au/TiO2/ZnO/Au结构MSM光电导型薄膜紫外光探 测器,研究其光电特性。实验结果表明,TiO2/znO紫外探测器在5V偏压360nm紫外光照下光电流约为500μA,其响应度为100A/W,平均暗 电流约为0.5μA;由于TiO^2/ZnO复合薄膜之间的费米能级不同而形成的内建电场作用,减少了产生的光生电子与空穴的复合,得到较强的光电流,且 其光响应的上升弛豫时间约为22s,下降响应时间约为80S;响应时间较长是由于广泛分布于薄膜中的缺陷而造成的。结果表明TiO^2/ZnO可作为一种 良好的紫外探测材料

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作者

王怡,江伟,邢光建,武光明,李东临

期刊

半导体光电

年份