以葡萄糖、硅粉为原料，采用水热法与焙烧结合成功地制备出一维SiC-SiO2纳米线，与常规SiC纳米线的制备方法相比，该法焙烧温度低，操作简单．运用红外特征光谱、扫描电子显微镜、X射线粉末衍射、原子力显微镜（atomic force microscope，AFM）对其研究．结果表明：所制得的纳米线为SiC-SiO2复合的核一壳结构，SiC纳米线的外层均匀地包覆上了一薄层SiO2．纳米线长度几到几十微米不等，直径200nm左右，球形纳米颗粒生长在纳米线上，这些球形颗粒为碳化硅和无定形硅氧化物．根据试验结果，分析了该方法制备SiC纳米线的生长机理为气一液一固反应．