用射频磁控溅射法生长的ZnO 薄膜作为有源层,制备出了ZnO 基薄膜晶体管(ZnO鄄TFT),并在空气环境下350 益退火1 h,研究了沟道宽度对ZnO鄄TFT 器件性能的影响。实验结果表明:阈值电压随着沟道宽度的减小而增加,这是由于沟道越窄,载流子被捕获的几率越大,在相同栅压下沟道内可动载流子浓度越小,相应的阈值电压就越大;饱和迁移率随着沟道宽度的减小而增加,认为这是由源/ 漏电阻的侧壁效应及边缘电子场效应引起的附加电流所致。