文章采用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备了V2O5/V/V2O5复合膜,通过改变中间层钒的溅射时间,制备了3组薄膜。所有薄膜均在450℃空气气氛中退火60min。用四探针测试仪测试了薄膜的电学性能,用X射线衍射仪对薄膜的结构组分进行分析。实验结果表明,当V层溅射时间为25min时,经450℃退火后的薄膜方块电阻为38.5kΩ,电阻温度系数为-0.021 8K-1,在700~1 400nm波段红外吸光度均在0.6以上,符合非致冷微测辐射热计的应用要求。